东大23年6月考试《模拟电子技术基础ⅠX》考核作业【标准答案】

东 北 大 学 继 续 教 育 学 院
模仿电子技术基础IX 试 卷（作业考核 线上2） A 卷（共 6 页）
总分 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十
得分

一、(40分) 单项挑选题（选一个正确答案填入括号里，每题2分）
1.P型半导体是在本征半导体中参加下面物质后构成的。（ ）
A、电子 B、空穴 C、三价元素 D、五价元素
2.稳压管的稳压区是其工作在（ ）。
A、正导游通 B、反向截止 C、反向击穿
3.二极管电路如图1所示，设二极管均为抱负的，则电压Uab为（ ）。

图1
A、-12V B、-6V C、0V D、+6V
4.在扩大电路中测得一只三极管三个电极的电位别离为-9V、-6.2V和-6V，则这只三极管归于（ ）。
A、硅PNP型 B、硅NPN型 C、锗PNP型 D、锗NPN型
5. 集成运放的输入级选用差分扩大电路是由于能够 （ ）。
A、减小温漂 B、增大扩大倍数 C、 进步输入电阻
6.差动式扩大电路的差模输入信号是指两个输入端的输入信号的（ ），
A、差 B、和 C、 均匀值
7. 差动式扩大电路的共模输入信号是指两个输入端的输入信号的（ ）。
A、差 B、和 C、 均匀值
8. 按要求挑选适宜的电路构成两级扩大电路。
要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压扩大倍数大于3000，榜首级应选用（ ）。
A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路
9. 按要求挑选适宜的电路构成两级扩大电路。要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压扩大倍数大于3000，第二级应选用（ ）。
A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路
10. 按要求挑选适宜的电路构成两级扩大电路。
要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压扩大倍数数值大于100，榜首级应选用 （ ）。
A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路
11. 按要求挑选适宜的电路构成两级扩大电路。
要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压扩大倍数数值大于100，第二级应选用 （ ）。
A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路
12. 依据要求挑选适宜的反应组态。
欲得到电流－电压变换电路，应在扩大电路中引进 （ ）。
A、电压串联负反应 B、电压并联负反应
C、电流串联负反应 D、电流并联负反应
13. 依据要求挑选适宜的反应组态。
欲将电压信号变换成与之成份额的电流信号，应在扩大电路中引进（ ）。
A、电压串联负反应 B、电压并联负反应
C、电流串联负反应 D、电流并联负反应
14. 依据要求挑选适宜的反应组态。
欲减小电路从信号源讨取的电流，增大带负载才能，应在扩大电路中引进（ ）。
A、电压串联负反应 B、电压并联负反应
C、电流串联负反应 D、电流并联负反应
15. 依据要求挑选适宜的反应组态。
欲从信号源取得更大的电流，并安稳输出电流，应在扩大电路中引进（ ）。
A、电压串联负反应 B、电压并联负反应
C、电流串联负反应 D、电流并联负反应
16.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱满管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V， RL＝8Ω。电路中D1和D2管的效果是消除 （ ）。

图2
A、饱满失真 B、截止失真 C、交越失真
17.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱满管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V， RL＝8Ω。静态时，晶体管发射极电位UEQ（ ）。
A、＞0V B、＝0V C、＜0V
18.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱满管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V， RL＝8Ω。最大输出功率POM （ ） 。
A、≈28W B、＝18W C、＝9W
19.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱满管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V， RL＝8Ω。当输入为正弦波时，若R1虚焊，即开路，则输出电压 （ ） 。
A、为正弦波 B、仅有正半波 C、仅有负半波
20.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱满管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V， RL＝8Ω。若D1虚焊，则T1管 （ ） 。
A、能够因功耗过大烧坏 B、一直饱满 C、一直截止

二、(10分) 判别题（每题1分）
1.半导体中的空穴是带正电的离子。（ ）
2.截止失真和饱满失真不可以能一起发生。（ ）
3.稳压管只能工作在反向击穿区。（ ）
4.最大不失真输出电压幅值为扩大电路的直流参数。（ ）
5.差动式扩大电路的共模按捺比KCMR越大，阐明电路的交放逐大倍数越大。（ ）
6.运算扩大器的开环应用是指运算扩大器的输出无负载。（ ）
7.为满意振动的相位条件，RC文氏桥振动器中的扩大器的输出信号与输入信号之间的相位差应为180゜。（ ）
8.为了有用的按捺零点漂移，集成运算扩大器一般选用阻容耦合的衔接方法。（ ）
9.为了确保二极管正导游通，能够将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两头。（ ）
10.扩大电路引进负反应的首要意图是为了增强电路的扩大才能。（ ）

三、（10分）半导体器材的剖析。 (每题5分)
1、电路如图3所示，设输入电压ui是幅值为12V的正弦波，试剖析D1，D2工作状况，并画出uo的波形。（设二极管D1，D2为抱负二级管）。



















2、依据图4所示的晶体管类型及实测对地直流电压数据（设直流电压表的内阻十分大），剖析：(1)管子是锗管仍是硅管？(2)管子的工作状况（扩大、截止、饱满或损坏）。
















四、多级扩大电路的剖析与计算。 (15分)
两级扩大电路如图5所示。已知β1＝25，β2＝100，UBE1＝0.7V，UBE2＝-0.2V。求：(1)为了使ΔUs＝0时，UC2＝4V，Rb的阻值应为多大？(2)Rb选用(1)中断定的阻值，计算Aus＝？(3)若电阻Rb与T1管基极断开，两管的集电极静态电位Uc1和Uc2各是多少？















五、单管扩大电路的剖析与计算。 (15分)
电路如图6所示，已知VCC=12V，Rbl=40kΩ，Rb2=20kΩ，Rc=RL=2kΩ，UBE=0.7V，β=50，Re=2kΩ，UCES≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)跟着输入信号的增大，输出信号也增大，若输出波形呈现失真，则首要呈现的是截止失真仍是饱满失真? (3)计算和。


















六、集成运放的剖析与计算。 (10分)
电路如图7所示，设UI1=5V，UI2=5.1V，计算抱负状况下，（1）当合上电源4.9S刹那间UO1、UO2、UO3、UO各点对地电压为多少？（2）当合上电源5.1S刹那间UO1、UO2、UO3、UO各点对地电压为多少？


图7